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       2020年度上海市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)于2021年12月1日舉行，華虹集團(tuán)旗下上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司（簡(jiǎn)稱“華虹宏力”）“絕緣柵雙極型晶體管工藝技術(shù)開發(fā)”項(xiàng)目榮獲上海市科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)。

       華虹宏力是全球首家同時(shí)在8英寸與12英寸生產(chǎn)線量產(chǎn)功率MOSFET、深溝槽超級(jí)結(jié)、場(chǎng)截止型IGBT的純晶圓代工企業(yè)，擁有豐富的功率器件穩(wěn)定量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。面向包括汽車電子在內(nèi)的綠色環(huán)保IGBT應(yīng)用市場(chǎng)，華虹宏力依托領(lǐng)先成熟的溝槽MOS工藝，成功開發(fā)特有的場(chǎng)截止型IGBT工藝，建成國(guó)內(nèi)擁有全套正、背面工藝的技術(shù)平臺(tái)。該獲獎(jiǎng)技術(shù)主要應(yīng)用于白色家電、工業(yè)變頻、焊機(jī)、汽車電子等產(chǎn)品。